Soudeuse de tuyaux haute fréquence à semi-conducteurs SiC-MOSFET

À mesure que la technologie s'est améliorée, les soudeurs à haute fréquence à semi-conducteurs ont récemment adopté un matériau semi-conducteur de troisième génération appelé SiC-MOSFET.

Caractéristiques de performance des matériaux semi-conducteurs de troisième génération SiC-MOSFET

1. Résistance aux hautes températures et aux hautes pressions : le SiC a une large bande interdite environ 3 fois supérieure à celle du Si, ce qui lui permet de réaliser des dispositifs électriques qui peuvent fonctionner de manière stable même dans des conditions de température élevée. L'intensité du champ de claquage de l'isolation du SiC est 10 fois supérieure à celle du Si, il est donc possible de fabriquer des dispositifs de puissance haute tension avec une concentration de dopage plus élevée et une couche de dérive d'épaisseur de film plus fine que les dispositifs en Si.

2. Miniaturisation et légèreté du dispositif : les dispositifs en carbure de silicium ont une conductivité thermique et une densité de puissance plus élevées, ce qui peut simplifier le système de dissipation thermique, de manière à obtenir une miniaturisation et un poids léger du dispositif.

3. Faible perte et haute fréquence : la fréquence de fonctionnement des dispositifs en carbure de silicium peut atteindre 10 fois celle des dispositifs à base de silicium, et l'efficacité ne diminue pas avec l'augmentation de la fréquence de travail, ce qui peut réduire la perte d'énergie de près de 50 % ; Dans le même temps, en raison de l'augmentation de la fréquence, le volume des composants périphériques tels que l'inductance et les transformateurs est réduit, et le volume et le coût des autres composants après la composition du système sont réduits.

Avantages de la soudeuse de tuyaux haute fréquence à semi-conducteurs SiC-MOSFET

Perte 1,60 % inférieure à celle des appareils Si-MOSFET, l'efficacité de l'onduleur du soudeur augmente de plus de 10 %, l'efficacité du soudage augmente de plus de 5 %.

2. La densité de puissance du SiC-MOSFET unique est grande, la quantité assemblée est réduite en conséquence, ce qui réduit directement les points de défaut et le rayonnement électromagnétique externe et améliore la fiabilité de l'unité de puissance de l'onduleur.

3. Tension de tenue SiC-MOSFET supérieure à celle du Si-MOSFET d'origine, la tension nominale CC du soudeur a été augmentée en conséquence dans le but d'assurer la sécurité (280 V CC pour le soudeur résonant parallèle et 500 V CC pour le soudeur résonant en série). Facteur de puissance du côté grille ≥ 0,94. .

4. La perte du nouveau dispositif SiC-MOSFET n'est que de 40 % de celle du Si-MOSFET, dans certaines conditions de refroidissement, la fréquence de commutation peut être plus élevée, la soudeuse Si-MOSFET résonante en série adopte la technologie de doublement de fréquence, adopte le SiC-MOSFET peut directement concevoir et fabriquer jusqu'à Soudeuse haute fréquence 600 KHz.

5. La nouvelle tension cc de la soudeuse SiC-MOSFET augmente, le facteur de puissance côté réseau est élevé, le courant alternatif faible, le courant harmonique faible, le coût de l'alimentation et de la distribution électrique du client est considérablement réduit et l'efficacité de l'alimentation électrique est efficacement améliorée.