Soudeuse de tuyaux haute fréquence à semi-conducteurs SiC-MOSFET 300KW

Soudeuse de tuyaux haute fréquence à semi-conducteurs SiC-MOSFET 300KWadopte le mosfet SiC et présente une résistance aux températures et aux pressions élevées. Le mosfet SiC est principalement utilisé sur les cartes de module d'alimentation. Ce type de cartes d'alimentation est utilisé dans la soudeuse de tuyaux à haute fréquence à semi-conducteurs.

Paramètres techniques :

Puissance de sortie nominale : 300 kW

Mode de soudage: type d'induction

Tension CC nominale : 240 V

Courant continu nominal: 1500A

Fréquence nominale: 300 KHZ

L'efficacité totale : η≥85 %

Tension d'alimentation : triphasé 380 V/50 Hz (l'équipement peut fonctionner à une tension de 380 V ± 5 %).

Capacité de distribution d'énergie : ≥360kVA

Caractéristiques de performances

Résistance aux hautes températures et aux hautes pressions : le SiC permet la création de dispositifs de puissance deSoudeuse de tuyaux haute fréquence à semi-conducteurs SiC-MOSFET 300KWfonctionnant de manière fiable même dans des environnements à haute température. Le SiC possède une intensité de champ de claquage pour l'isolation dix fois supérieure à celle du Si, ce qui permet la production de dispositifs de puissance haute tension présentant des concentrations de dopage accrues et des épaisseurs de film de couche de dérive plus fines par rapport aux dispositifs à base de Si.

Miniaturisation et conception légère des dispositifs : Dispositifs en carbure de silicium (SiC) deSoudeuse de tuyaux haute fréquence à semi-conducteurs SiC-MOSFET 300KWoffrent une conductivité thermique et une densité de puissance supérieures, simplifiant les systèmes de dissipation thermique et facilitant la miniaturisation des appareils et la construction légère.

Fonctionnement à haute fréquence et faible perte d'énergie : les dispositifs SiC fonctionnent à des fréquences jusqu'à dix fois supérieures à celles des dispositifs à base de silicium, maintenant leur efficacité sans perte à mesure que la fréquence augmente, ce qui entraîne une réduction de près de 50 % des pertes d'énergie. De plus, l'augmentation de la fréquence de fonctionnement réduit le volume des composants périphériques tels que les inductances et les transformateurs, ce qui entraîne une réduction du volume du système et des coûts des composants.

Nous produisons non seulementSoudeurs de tuyaux haute fréquence à semi-conducteurs SiC-MOSFET 300KW, mais fournissent également des équipements de traitement thermique par induction performants et fiables ainsi que certaines solutions. Bienvenue à consulter pour des informations détaillées !